功能描述：MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

制造商：global power technologies group

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：停产

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.1 欧姆 @ 1.25A， 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：748pF @ 25V

功率 - 最大值：94W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

标准包装：1

GP1M003A090PH

GP1M005A040CG

GP1M005A040PG

GP1M005A050CH

GP1M005A050FH

GP1M005A050FSH

GP1M005A050HS

GP1M005A050PH

GP1M006A065FH

GP1M006A070F